為(wei)確(que)定(ding)FAS晶(jing)片損傷(shang)蝕(shi)刻(ke)期(qi)間蝕刻速(su)率降(jiang)低的(de)根本(ben)原因(yin)，無論是與表麵結構、缺陷相關，還是(shi)由於表麵存(cun)在的氧化層(ceng)，還是由於(yu)有機(ji)殘由金(jin)剛(gang)石線鋸切和標(biao)準漿鋸(ju)切製(zhi)成(cheng)的180米(mi)厚5英寸(cun)半(ban)寬直(zhi)拉單晶矽片(pian)與(yu)蝕刻時間的關係。

利用日立(li)S-4800掃(sao)描(miao)電(dian)子顯微鏡(jing)(SEM)、200keVJEOL201010F透(tou)射(she)電子(zi)顯微鏡(TEM)和表麵成像係統(tong)公司的原子力(li)顯微鏡(AFM)，通(tong)過(guo)研磨(mo)和離子研磨製備了(le)截麵(mian)透射電鏡樣品，采用基(ji)於光(guang)纖、光學(xue)排(pai)列(lie)的反(fan)射率測(ce)量(liang)。

圖1

圖1為75°C下不同(tong)濃度(du)氫(qing)氧(yang)化鉀漿料切割(ge)片厚(hou)度降低(di)，表麵反射率隨(sui)刻刻時(shi)間的變(bian)化，氫氧化鉀(jia)漿料濃度在20-30%左右的刻刻率(lv)更大，加之(zhi)反射率初降低是因為微裂紋的開口，增(zeng)強(qiang)了表(biao)麵的紋(wen)理(li)，圖2為在75°C下不同濃(nong)度氫氧化鉀漿料切(qie)割片厚度降低，表麵反射率隨刻刻時間降低，表麵反射率初(chu)降低不明(ming)顯，因為表麵沒有微(wei)裂紋。

圖2

FAS切割料切割片和FAS切割片的厚度降低，FAS切割片在初始時間5-10分(fen)鍾內(nei)的蝕刻率較(jiao)低，這在另(ling)一張(zhang)圖中得到(dao)了澄清(qing)，在氫氧化鉀濃度分別為30%和47%的情況(kuang)下，漿(jiang)料和FAS切割片的厚度降低，對(dui)於超過10分鍾的蝕刻時間，這兩(liang)種(zhong)類(lei)型的蝕刻率相同。

在漿液切麵橫(heng)截(jie)麵上(shang)顯示的是一層非(fei)晶Si(A-Si)，具有20-40納(na)米的典型厚度，在非晶層下可(ke)以觀(guan)察(cha)到300-600納米厚的缺(que)陷(xian)區(qu)；缺陷大多在表麵800納米的層中，但也有部分在2000納米的深度。通過對比切割漿液和切割FAS芯片的表麵結(jie)構(gou)橫截麵，FAS切割芯片的非晶層和缺陷層平(ping)均(jun)厚度為2-3倍(bei)，TEM觀察到的非晶矽層在前(qian)2-5秒(miao)內根(gen)據腐(fu)蝕過程(cheng)中初期測量的蝕刻率進行蝕刻，所(suo)以並不是初期蝕刻率下(xia)降的原因。

透射電鏡調查(cha)也證(zheng)實，在預清洗過程中，蝕刻率變化不(bu)大，表麵沒有氧化矽(xi)掩蔽層或有機殘(can)留層。

最後，隨著時間的推(tui)移(yi)，FAS和(he)標準漿片的堿性溶(rong)液(ye)的蝕刻速率隨著(zhu)溫(wen)度的變化和不同的預(yu)清洗過程的變化而變化。結果表明，根據(ju)氫氧化鉀的濃度和溫度，氫氧化鉀濃度的更(geng)大蝕刻速率約為20-30wt%，FAS晶片的蝕刻速率在最初5-10分鍾(zhong)的蝕刻過程中低於漿片；為了表示(shi)晶片表麵，菠萝小视频app采用了掃描電子顯(xian)微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)和反射率測量，通過比(bi)較切割漿料和切割FAS晶片的表麵結構橫截麵，觀察非晶矽層和缺陷層，但得(de)出(chu)的結論(lun)是，對較高的初始蝕刻速率沒有限(xian)製。